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“Transistores NEUROMAT: conmutación biomórfica en materia blanda con transporte híbrido” es una obra técnica original que formula un nuevo marco de dispositivos tri-terminales blandos (NEUROMAT-F/M/D) capaces de conmutar y memorizar estado sin energía en reposo. El canal activo es un medio suave (hidrogel/polímero/coloide) con inclusiones magnéticas y nanopartículas auxiliares. El funcionamiento no se basa en túnel directo, sino en la integración de cuatro contribuciones físicas verificables en materia blanda:
(i) Hopping entre estados localizados (régimen Arrhenius/VRH);
(ii) Islas con umbral por energía de carga (E_c = e²/2C_Σ; V_th ≈ E_c/e);
(iii) Conducción iónica y acoplamiento electroquímico (Poisson–Nernst–Planck, longitud de Debye λ_D);
(iv) Polarización magnética por electrodos ferromagnéticos y campo aplicado.
La transición OFF→ON se explica por percolación (κ) al superar el umbral p_c, y la retención deriva de la viscoelasticidad del medio (τ_M = η/E) y del bloqueo magnético (K·V), reforzada por la remanencia del electrodo cuando existe. El manuscrito desarrolla una ley constitutiva unificada (σ_eff = σ_hop + σ_seq + σ_ion + σ_pol), figuras de mérito (ON/OFF, g_MB, SNR, V_th), escalabilidad 2D/3D, crosstalk y límites térmicos, junto a un protocolo de validación con criterios de éxito/refutación (I–V, σ(T), EIS, dependencia con B, I y pH). Se describen aplicaciones potenciales (bioelectrónica blanda, neuromórfico material, sensores con memoria, materiales inteligentes) y una hoja de ruta TRL. Alcance: obra teórica y falsable; no contiene resultados experimentales ni revela procesos industriales detallados.
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Title Transistores NEUROMAT conmutación biomórfica en materia blanda con transporte híbrido
“Transistores NEUROMAT: conmutación biomórfica en materia blanda con transporte híbrido” es una obra técnica original que formula un nuevo marco de dispositivos tri-terminales blandos (NEUROMAT-F/M/D) capaces de conmutar y memorizar estado sin energía en reposo. El canal activo es un medio suave (hidrogel/polímero/coloide) con inclusiones magnéticas y nanopartículas auxiliares. El funcionamiento no se basa en túnel directo, sino en la integración de cuatro contribuciones físicas verificables en materia blanda:
(i) Hopping entre estados localizados (régimen Arrhenius/VRH);
(ii) Islas con umbral por energía de carga (E_c = e²/2C_Σ; V_th ≈ E_c/e);
(iii) Conducción iónica y acoplamiento electroquímico (Poisson–Nernst–Planck, longitud de Debye λ_D);
(iv) Polarización magnética por electrodos ferromagnéticos y campo aplicado.
La transición OFF→ON se explica por percolación (κ) al superar el umbral p_c, y la retención deriva de la viscoelasticidad del medio (τ_M = η/E) y del bloqueo magnético (K·V), reforzada por la remanencia del electrodo cuando existe. El manuscrito desarrolla una ley constitutiva unificada (σ_eff = σ_hop + σ_seq + σ_ion + σ_pol), figuras de mérito (ON/OFF, g_MB, SNR, V_th), escalabilidad 2D/3D, crosstalk y límites térmicos, junto a un protocolo de validación con criterios de éxito/refutación (I–V, σ(T), EIS, dependencia con B, I y pH). Se describen aplicaciones potenciales (bioelectrónica blanda, neuromórfico material, sensores con memoria, materiales inteligentes) y una hoja de ruta TRL. Alcance: obra teórica y falsable; no contiene resultados experimentales ni revela procesos industriales detallados.
Work type Technical
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Registry info in Safe Creative
Identifier 2508272914295
Entry date Aug 27, 2025, 7:01 PM UTC
License All rights reserved
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Copyright registered declarations
Author. Holder javier jerez fernández. Date Aug 27, 2025.
Information available at https://www.safecreative.org/work/2508272914295-transistores-neuromat-conmutacion-biomorfica-en-materia-blanda-con-transporte-hibrido
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Registration: 2508272914295
